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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。接收：REN=1后，允许接收。接收器以所选波特率的16倍速率采样RXD端电平，当检测到一个负跳变时，启动接收器，同时把1FFH写入输入移位寄存器。由于接、发双方时钟频率有少许误差，为此接收控制器把一位传送时间16等分采样RXD，以其中9三次采样中至少2次相同的值为接收值。接收位从移位寄存器右边进入，1左移出，当 左边是起始位0时，说明已接收8位数据，再作 一次移位，接收停止位。此后：若RI=0、SM2=0，则8位数据装入SBUF，停止位入RB8，置RI=1。电机由常温（其各部分温度与环境温度相同）始运行，温度不断升高，当其高出环境温度后，一方面继续吸收热量缓慢升温。另一方面始向周围散发热量。当电机处于热量平衡装态，温度不再升高时，电机的温度与环境温度之差称之为电机温升。既：温升＝电机温度－环境温度用K为单位。电机的允许温度是绕组的能够承受的温度。在此温度下长期使用时，绝缘材料的物理、机械、化学和电气性能不发生显着恶性变化，如超过此温度，则绝缘材料的性能发生质变，或引起快速老化。当初为了安全测试220V端电压波形，查阅了浮地测试技术的相关。同时经过实验验证，浮地测试必须要将示波器和被测试系统的公共地断，具体来说就是让测试仪器和被测试不具备相同的参考地电位，这样短接示波器探头的地到被测试才不会发生事故。拿本实验举例，设我们需要测量市电实时波形，怎么测量呢。我们可以这样测试，示波器供电时三芯插头只连接L和N端，接地不连接，这样就可以通过接地夹夹在市电的一端，用探头去测量另一端的波形了。校验用电流互感器精度：0.1S级。误差0.1%，常用于校验计量级电流互感器的准确度。计量用电流互感器精度：0.2S0.5级。误差0.2%和0.5%，用于电费结算的依据，部分场合也会使用0.5级3.测量级电流互感器：0.5级、1.0级，2.0级等，一般用于电 20等，精度的含义：以10P10为例，即流过电流互感器的电流，是其额定电流的10倍以内的时候，电感器的误差在±10%以内。
