下面进行写数据的验证，在程序中将DeviceData.ctrl任意赋值，然后再modsim中查看：写入数据赋值写入成功可以看到modsim3中相应地址的数据也已经变化，而其他模拟设备中并没有改变。其他在实际的项目中，变频器控制，通讯参数和数据地址一般都是设备(从站)规定好的，我们需要查阅设备手册，在程序中相应的设置即可，通过通讯获取的数据可以有触摸屏显示出来，方便操作人员监控设备状态，也可以一写判断，用于设备的报等。

废旧电缆的分类
1.绝缘种类：V代表聚氯乙稀；X代表橡胶；Y代表聚乙；YJ代表交联聚乙；Z代表纸。
2.导体材料：L代表铝；T（省略）代表铜。
3.内护层：V代表聚氯乙稀护套；Y聚乙护套；L铝护套；Q铅护套；H橡胶护套；F氯丁橡胶护套。
4.特征：D不滴流；F分相；CY充油；P贫油干绝缘；P屏蔽；Z直流。
5.控制层：0无；2双钢带；3细钢丝；4粗钢丝。
6.外被层：0无；1纤维外被；2聚氯乙稀护套；3聚乙护套。
7.阻燃电缆在代号前加ZR；耐火电缆在代号前加NH。

其特点是机械设备构造简单，且操作技术成熟。其原理主要是利用机械剪将电线电缆破碎成颗粒状，再利用比重、磁力或静电分选方法，将破碎之非金属与金属予以分离。机械法系将废电线电缆以将其切成适当的长度，再以粉碎机将其粉碎至适当的粒径予以分离，流程如下：剪切单元：以铡式剪切机将废电线剪切成适当的长度，其长度随着电线电缆的直径而异。粗碎、细碎：利用式破碎机将电缆破碎至15mm左右。分离：分离单元首先可用筛网来确保粉碎颗径达到一定的范围。再用气动分选机可将金属粒、绝缘颗粒及中间产品（带有绝缘物的金属粒）予以分离，其中间产物可再送回二次粉碎机再行，若含铁质则需进行磁选；一般而言，此一分离可9～99.5%的金属。

兆欧表的测量导线应使用带有屏蔽线的绝缘导线。对三相三线铠装电力电缆进行测量时，在电缆的一端进行测量，另一端必须设专人监护。分别将电缆铠甲或终端头接地线与两根电缆芯连在一起，接到兆欧表的“E“端，另一条的芯线暂时不接，待转动兆欧表的摇柄使转速达到稳定120r/min时，摇表指针指示“∞”的位置，然后将被测电缆芯线与兆欧表的“L”端相连，版权所有。此时，兆欧表的指针可能回零位，但应继续转动摇柄，指针即慢慢随着时间的延长向标尺的“∞”方向偏转，待仪表指针稳定在某一位置时，始读数，并作记录。

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TEMP(临时变量)为暂时保存在局部数据区中的变量。只有在执行该POU时，定义的临时变量才被使用，POU执行完后，不再使用临时变量的数值。在主程序或中断程序中，局部变量表只包含TEMP变量。子程序的局部变量表中还有三种变量：IN(输入变量)、OUT(输出变量)、IN_OUT(输入/输出变量)。在局部变量表中赋值时，只需声明局部变量的类型(TEMP、IN、IN_OUT或OUT)和数据类型（参见SIMATIC和IEC1131-3的数据类型），但不存储器地址，程序编辑器自动地在L存储区中为所有局部变量存储器位置。主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。