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同时，在的具体位置明确的标注，施工方法的选择也应该好充分而有详细的标注，所有的配电柜、变压器、配电设施等都需要合乎标准。在之前，对各种设备好检测，只有符合要求才能付诸。电气设备的正常运转都靠各种仪表来确认，仪表的稳定性也是保障电气和运行质量的根本。所有的电气设备之后需要各种仪表，确保各种仪表达到 技术标准。各种电气设备必须严格按照预先设计的图纸进行，对各种设备好详细而又周密的检测，好各方面的配套保护措施，充分保障各种电气设施不会外在干扰影响。二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程在上图所示的硅二极管电路中加入一个如下图所示的输入电压。在0―t1时间内，输入为+VF，二极管导通，电路中有电流流通。设VD为二极管正向压降（硅管为0.7V左右），当VF远大于VD时，VD可略去不计，则在t1时，V1突然从+VF变为-VR。在理想情况下，二极管将立刻转为截止，电路中应只有很小的反向电流。但实际情况是，二极管并不立刻截止，而是先由正向的IF变到一个很大的反向电流IR=VR／RL，这个电流维持一段时间tS后才始逐渐下降，再经过tt后，下降到一个很小的数值0.1IR，这时二极管才进人反向截止状态，如下图所示。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。NPN型三极管在三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。如用“V”表示半导体器件和电真空器件，用“K”表示继电器、接触器类等。双字母符号是由一个表示种类的字单母符号与另一个表示用途、功能、状态和特征的字母组成，种类字母在前，功能名称字母在后。如“T”表示变压器类，则“TA”表示电流互感器，“TV”表示电压互感器，“TM”表示电力变压器等。辅助文字符号基本上是英文词语的缩写，表示电气设备、装置和元件的功能、状态和特征。，“起动”采用“START”的前两位字母“ST”作为辅助文字符号，另外辅助文字符号也可单独使用，如“N”表示交流电源的中性线，“OFF”表示断，“DC”表示直流等。