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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。当Ku=Kf时，电压和频率是成正比下降的。由于电动机的转速是由频率决定的，故输出功率所占比例减小的具体反映便是电磁转矩的减小，这就降低了电动机带负载的能力，如要不降低电动机带负载的能力，当电压和频率同时下降时，应该在Ku=Kf的基础上适当加大一点电压，使Ku＞Kf。由于加大电压的目的是为了增大转矩，所以称为转矩提升，又叫转矩补偿。转矩提升的多少反映了电压与频率比值的大小，调试转矩提升实际上就是调节U/f比转矩提升的U/f曲线变频器产品几乎都了数十条U/f曲线，供用户选择使用。对于直流电路里的继电器，设线圈本身的电阻为R0，在线圈上串联电阻R，电阻旁并联电容C如所示。当关K合上时，由于电容的充电电流也要流过线圈，所以短时间内通过线圈的电流比稳态电流I=U/(R0+R)要大，动作也就加快了。如果串联电阻R仍按照线圈的额定电流计算，短时间内的实际电流要超过额定值，不过时间不长，发热并不明显。继电器加速吸合电路的电源电压应该比不用加速电路时高一些，电阻的散热功率应按稳态电流计算。中电阻R1和R2的取值必须使当输入为+VCC时的三极管可靠地饱和，即有βIbIes在.21中设Vcc=5V，Ies=50mA,β=100,则有Ib0.5mA而Ib=(Vcc-Vbe)/R1-Vbe/R2若取R2=4.7K，则R16.63K,为了使三极管有一定的饱和深度和兼顾三极管电流放大倍数的离散性，一般取R1=3.6K左右即可。若取R1=3.6K，当集成电路控制端为+VCC时，应能至少1.2mA的驱动电流(流过R1的电流)给本驱动电路，而许多集成电路(标准8051单片机)输出的高电平不能达到这个要求，但它的低电平驱动能力则比较强(标准8051单片机I/O口输出低电平能20mA的驱动电流(这里说的是漏电流))，则应该用如.22所示的电路来驱动继电器。